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基于单轴张应变锗/硅锗多量子阱的电吸收调制器方案
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本文摘要:由于功耗和比特率相当严重制约了大规模集成电路的发展,片上光点对点已被指出是一种有潜力的发展途径。

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由于功耗和比特率相当严重制约了大规模集成电路的发展,片上光点对点已被指出是一种有潜力的发展途径。硅光子学是最适合于把光学器件和电子器件构建在一起的平台,但是却受到有源器件的制约。锗和硅锗合金材料近来受到更加多的注目。

这是由于锗的必要带上隙能量对应的波长处在C波段,而间接带隙的L谷带边只比必要带隙的Γ谷较低140毫电子叱。研究者们早已明确提出并发展了多种CMOS相容的方法来转变锗涉及材料的能带结构,还包括锗/硅锗量子阱,悬空锗微结构和锗锡合金。在硅基调制器领域,锗/硅锗量子阱电吸取调制器具备尺寸小和功耗低等优势。

由于量子容许效应,锗/硅锗量子阱的必要带上隙吸取边能量值比锗体材料要大,之前的10nm长锗量子阱在零偏压下的工作波长在1420nm。虽然吸取边可以通过产生有所不同的偏压来调控,但是吸取对比度也随着偏压的减少而劣化。较高的偏置电压也不适合于大规模构建。

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因而,锗/硅锗多量子阱电吸取调制器的工作波长是有限的。武汉光电国家实验室光电子器件与构建功能实验室孙军强教授率领博士生高建峰等人明确提出了一种基于单轴张突发事件锗/硅锗多量子阱的电吸取调制器方案。

该方案很大地拓宽了锗/硅锗多量子阱的电吸取调制器的工作波长范围,而且需要提升TE模式的吸取对比度。通过引进0.18%-1.。


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